| 每日真題精選：國家電網(wǎng)考試歷年真題匯編（5.12） |
| 時間：2021-05-20 17:28???來源：電網(wǎng) 招聘單位： 工作地點： |
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1.電力系統(tǒng)交流輸電線路的自然功率與（ ）成正比。
A.線路電壓的平方
B.線路波阻抗
C.線路波阻抗的平方
D.線路電壓
2.對變壓器縱絕緣影響最大的是（ ）。
A.波前電阻
B.波尾電阻
C.波前電容
D.波尾電容
3.在沖擊電壓作用下固體電介質(zhì)易發(fā)生（ ）。
A.氣泡擊穿
B.熱擊穿
C.電擊穿
D.電化學(xué)擊穿
4.在大氣條件下，流注理論認(rèn)為放電發(fā)展的維持是靠（ ）。
A.碰撞電離的電子
B.光電離的光子
C.熱電離的離子
D.表面電離的電子
5.在電場極不均勻的空氣間隙中加入屏障后，在一定條件下，可以顯著提高氣隙的擊穿電壓，這是因為屏障在氣隙中起到了（ ）作用。
A.隔離電場
B.分擔(dān)電壓
C.加強(qiáng)絕緣
D.改善電場分布
參考答案;
1.
.
2.答案：【A】
玖石教育解析：
變壓器的絕緣分為外部絕緣和內(nèi)部絕緣。
外部絕緣：
一般指變壓器油箱外部空氣絕緣部分，包括各相帶電導(dǎo)線之間的空氣間隙，以及 帶電導(dǎo)線與接地部分間的空氣間隙，套管的沿面放電距離也屬于變壓器的外絕緣，外絕緣直接受到外界氣候條件的影響。
內(nèi)部絕緣：
指變壓器油箱中的絕緣部分，包括線圈的絕緣，引線的絕緣和分接開關(guān)的絕緣。套管的內(nèi)部絕緣及套管下部油箱中的部分，內(nèi)絕緣不受外界氣候條件的影響。
變壓器的內(nèi)絕緣又分為主絕緣與縱絕緣。高壓線圈與低壓線圈之間，線圈與鐵芯及油箱之間，不同相線圈之間的絕緣稱為主絕緣。線圈的匝間，層間，餅間絕緣，即同一線圈不同電位的各部分間的絕緣，稱為縱絕緣。
對于縱絕緣影響大的是波的陡度，而波前電阻主要是調(diào)節(jié)波前時間的，波前時間越短陡度就越大，而波尾電阻是改變半峰值時間的。而電容主要是改變波前時間常數(shù)和波尾時間常數(shù)。
所以答案為A。
【考點】
變壓器縱絕緣
3.答案：【C】
玖石教育解析：
沖擊電壓的特點是幅值高，作用時間短
如果施加于固體電介質(zhì)，易發(fā)生電擊穿。
要了解三種擊穿的特點，從時間長短上來說，電擊穿<熱擊穿<電化學(xué)擊穿，從施加電壓高低上來說，電擊穿>熱擊穿>電化學(xué)擊穿，并且氣泡擊穿屬于液體電介質(zhì)擊穿。
所以答案為C。
【考點】
沖擊電壓，固體電介質(zhì)擊穿
4.答案：【B】
玖石教育解析：
流注理論：
流注：這些電離強(qiáng)度和發(fā)展速度遠(yuǎn)大于初始電子崩的新放電區(qū)（二次電子崩）以及它們不斷匯人初崩通道的過程。 在初始階段，氣體放電以碰撞電離和電子崩的形式出現(xiàn)，但當(dāng)電子崩發(fā)展到一定程度后，某一初始電子崩的頭部積聚到足夠數(shù)量的空間電荷，就會引起新的強(qiáng)烈電離和二次電子崩。這種強(qiáng)烈的電離和二次電子崩是由于空間電荷使局部電場大大增強(qiáng)以及發(fā)生空間光電離的結(jié)果，這時放電即轉(zhuǎn)入新的流注階段。流注的特點：電離強(qiáng)度很大和傳播速度很快（超過初崩發(fā)展速度l0倍以上 )，出現(xiàn)流注后，放電便獲得獨立繼續(xù)發(fā)展的能力，而不再依賴外界電離因子的作用，可見這時出現(xiàn)流注的條件也就是自持放電條件。出現(xiàn)流注條件：起始電子崩頭部電荷數(shù)量足以畸變電場造成足夠的空間光電離。（放電發(fā)展的維持條件）
適用范圍：高氣壓、長間隙下，放電并不充滿整個電極空間的現(xiàn)象。流注理論的局限：當(dāng)Pd較小時。此時，不產(chǎn)生流注，只能使用湯姆遜理論
所以答案為B。
【考點】
流注理論
5.答案：【D】
玖石教育解析：
改善氣隙電場分布
改進(jìn)電極形狀以改善電場分布
(1)電場分布越均勻，氣隙的平均擊穿場強(qiáng)也就越大。改進(jìn)電極形狀(增大電極的曲率半徑、消除電極表面的毛刺、尖角等)減小氣隙中的最大電場強(qiáng)、改善電場分布、提高氣隙的擊穿電壓。
如不可避免出現(xiàn)極不均勻電場，則盡可能采用對稱電場(棒-棒電極)。
(2)利用屏蔽來增大電極的曲率半徑是一種常用的方法。
(3)超高壓線路上采用的擴(kuò)徑導(dǎo)線，超高壓線路絕緣子串上安裝的保護(hù)金具(均壓環(huán))都是在超高壓線路上應(yīng)用屏蔽原理來改善電場分布以提高了擊穿電壓的實例。
(4)利用空間電荷畸變電場。
(5)利用屏障：極不均勻電場的空氣間隙中插入固體絕緣材料。
所以答案為D。
【考點】
改善電場分布
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